用户登录
期刊信息
  • 主管单位:
  • 中国科学技术协会
  • 主办单位:
  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
  • 主  编:
  • 庄松林
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号上海理工大学《光学仪器》编辑部
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55270110
  • 电子邮件:
  • gxyq@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1005-5630
  • 国内统一刊号:
  • 31-1504/TH
  • 邮发代号:
  • 单  价:
  • 15.00
  • 定  价:
  • 90.00
半导体载流子分布的太赫兹近场显微表征
Terahertz near-field microscopic characterization of carrier distribution in semiconductors
投稿时间:2020-05-21  
DOI:10.3969/j.issn.1005-5630.2020.06.005
中文关键词:  扫描近场光学显微镜  太赫兹  纳米成像  半导体
英文关键词:scanning near-field optical microscopy  terahertz  nano-imaging  semiconductor
基金项目:国家重点研发计划(2017YFF0106304,2016YFF0200306)
作者单位E-mail
刘逍 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院上海 200093  
吴佩颖 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院上海 200093  
屈明曌 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院上海 200093  
顾虹宇 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院上海 200093  
王启超 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院上海 200093  
游冠军 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院上海 200093 youguanjun@126.com 
摘要点击次数: 0
全文下载次数: 0
中文摘要:
      基于自建的太赫兹散射型扫描近场显微镜系统(THz s-SNOM),研究了其在显微表征半导体载流子浓度分布中的应用。对基于半导体硅的静态随机存取存储器(SRAM)的纳米结构进行了近场显微成像测量,并采用可见光调控本征硅样品表面的载流子浓度,实现了不同浓度(1014~1017 cm−3)光生载流子的近场检测。结果表明,此THz s-SNOM能够对半导体微纳结构的载流子分布进行高空间分辨率的显微表征,测量结果与基于偶极子模型的计算结果具有较好的吻合度。
英文摘要:
      We demonstrate the microscopic characterization of charge carriers in semiconductors by using a home-built terahertz scattering-type scanning near-field optical microscopy (THz s-SNOM). Based on the near-field imaging of a silicon device (static random-access memory, SRAM), it is shown that the THz s-SNOM is capable of mapping carrier distribution in nano-sized semiconductor devices. THz near-field signals of photo-generated carriers with different concentration in an intrinsic silicon wafer are measured. The measured dependence of near-field signal on carrier concentration (1014~1017 cm−3) is in good agreement with calculated results based on a dipole model of near-filed interaction.
HTML   查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
关闭