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期刊信息
  • 主管单位:
  • 中国科学技术协会
  • 主办单位:
  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
  • 主  编:
  • 庄松林
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号上海理工大学《光学仪器》编辑部
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55270110
  • 电子邮件:
  • gxyq@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1005-5630
  • 国内统一刊号:
  • 31-1504/TH
  • 邮发代号:
  • 单  价:
  • 15.00
  • 定  价:
  • 90.00
PECVD氮化硅薄膜性质及工艺研究
Properties and preparation of low stress SiNx film by PECVD
投稿时间:2018-07-16  
DOI:10.3969/j.issn.1005-5630.2019.03.013
中文关键词:  半导体材料  氮化硅薄膜  等离子增强化学气相沉积(PECVD)
英文关键词:semiconductor material  silicon nitride film  plasma enhanced chemical vapor deposition
基金项目:国家自然科学基金(61335002)
作者单位E-mail
李攀 华中科技大学 武汉光电国家研究中心, 湖北 武汉 430074  
张倩 武汉晴川学院, 湖北 武汉 430204  
夏金松 华中科技大学 武汉光电国家研究中心, 湖北 武汉 430074  
卢宏 华中科技大学 武汉光电国家研究中心, 湖北 武汉 430074 luhong@hust.edu.cn 
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中文摘要:
      为了制备高质量氮化硅薄膜,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)进行氮化硅的气相沉积,讨论了工艺参数对薄膜性能的影响,验证设备工艺均匀性和批次间一致性。通过高低频交替生长低应力氮化硅薄膜,并检测薄膜应力,对工艺进行了优化,探索最佳的高低频切换时间。研究了PECVD氮化硅薄膜折射率、致密性、表面形貌等性质,制备出了致密的氮化硅薄膜。研究结果表明,PECVD氮化硅具有厚度偏差小、折射率稳定等特点,为其在光学等领域的应用打下了基础。
英文摘要:
      In this paper, silicon nitride deposition process was carried out by using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The influence of processing parameters on PECVD film properties were discussed. In conclusion, it was convenient to obtain low stress SiNx film by controlling the switching time of high and low frequencies respectively; dense high quality SiNx films with low tensile stress can be grown. The results showed that PECVD silicon nitride had the characteristics of small thickness deviation and stable refractive index, which establishes a foundation for its application in optics.
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