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不同温度制备氟化镱薄膜的工艺研究
Investigation on the preparation of YbF3 films at different temperature
投稿时间：2017-09-29  
DOI：10.3969/j.issn.1005-5630.2018.03.016
中文关键词:  氟化镱薄膜  电子束蒸发  反可见透红外波段  硅基底  沉积温度
英文关键词:YbF3 films  electron beam evaporation  in the opposite visible through infrared  silicon substrate  deposition temperature
基金项目:
作者单位E-mail
秦杨 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093  
张荣福 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093 zhangrongfu@usst.edu.cn 
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中文摘要:
      利用电子束蒸发在硅基底材料上沉积氟化镱（YbF3）薄膜，并对不同沉积温度所得薄膜进行了研究。研究结果表明，在反可见透红外波段上，沉积温度对于YbF3薄膜的物理和光学特性有较大影响。当沉积温度为150℃和180℃时，硅基底上的YbF3薄膜的光学性能和可靠性较差；当沉积温度为220℃和240℃时，硅基底上的YbF3薄膜具有良好的光学性能和可靠性，能适用于不同要求的薄膜产品研制。
英文摘要:
      In the material deposited on the silicon substrate and thin film,ytterbium fluoride was studied on different deposition temperature in the films by electron beam evaporation and silicon as substrate.The results show that in the opposite visible through infrared,YbF3 film deposition temperature has great impact on the physical and optical properties.At 150℃ and 180℃,optical properties and reliability of YbF3 films on silicon substrate are not good.When the temperature is 220℃ and 240℃,YbF3 thin films have good optical and reliability performance,which are suitable to the different requirements for the development of film products.
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