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GaAs纳米线阵列光阴极的制备及其特性研究
Preparation and characterization of GaAs nanowire array photocathode
投稿时间：2017-09-01  
DOI：10.3969/j.issn.1005-5630.2018.01.012
中文关键词:  SiO2纳米球  GaAs纳米线阵列  纳米球刻蚀  Cs-F激活  电子源
英文关键词:SiO2 nanospheres  GaAs nanowire arrays  nanosphere lithography  Cs-F activation  electron source
基金项目:
作者单位E-mail
曾梦丝 东华理工大学 机械与电子工程学院, 江西 南昌 330013  
彭新村 东华理工大学 机械与电子工程学院, 江西 南昌 330013 xcpeng@ecit.cn 
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中文摘要:
      采用改进的Stöber法合成直径为500 nm的SiO2纳米球，用旋涂法将所合成的SiO2纳米球制作掩模版，采用纳米球刻蚀法制备GaAs纳米线阵列。利用扫描电子显微镜（SEM）、漫反射谱对其进行了表征分析，再对所制备出的GaAs纳米线阵列结构进行Cs-F交替激活实验，使其表面形成负电子亲和势光阴极，并对最终制备出的GaAs纳米线阵列光阴极样品进行量子效率测试，验证了GaAs纳米线阵列结构的量子效率比GaAs基片提高50%以上，从而证实了纳米线阵列结构的高光电转换效率。
英文摘要:
      SiO2 nanospheres with a diameter of 500 nm were synthesized by modified St ber method.The synthesized SiO2 nanospheres were made as a mask layer by spin coating to prepare GaAs nanowire arrays through SiO2 nanospheres mask.GaAs nanowire arrays were characterized and analyzed by using scanning electronic microscopy(SEM) and diffuse reflection spectra.After that,the Cesium-Fluoride(Cs-F) alternating activation experiment was conducted in order to form a negative electron affinity cathode on the surface of GaAs nanowire arrays.Finally,the quantum efficiency of as preparation GaAs nanowire array was measured.The results show that the quantum efficiency of GaAs nanowire arrays is more than 50% higher than that of GaAs substrate and confirm the high photoelectric conversion efficiency of nanowire arrays.
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