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  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
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  • 庄松林
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一种pin结构光电器件的研究
Study of a pin photoelectrical device
投稿时间：2015-12-08  
DOI：10.3969/j.issn.1005-5630.2016.05.007
中文关键词:  pin结构  原子层沉积(ALD)  整流比  遂穿效应
英文关键词:pin structure  atomic lager deposition  rectification ratio  tunneling effect
基金项目:国家重点基础研究发展计划（2015CB352001）
作者单位
袁晓贤 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093 
隋国荣 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093 
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中文摘要:
      pin器件在整流和探测领域都有着重要的潜在应用价值。为了提高器件伏安和光电探测性能，提出了一种新型的p-硅/i-氧化铝/n-掺铝氧化锌（AZO）结构器件，并利用原子层沉积技术（ALD）在低温下实现了器件制备。分析了器件的伏安特性，结果显示相比传统的pn结构器件，新结构在无光条件下实现了152的整流比。通过增加i层的沉积厚度，可以有效抑制遂穿效应，减小暗电流，提高光电检测的灵敏度，实现了比传统材料更高的光生电流灵敏度。
英文摘要:
      The pin device has important potential applications in rectification and detection.To enhance the volt-ampere and photoelectrical detection characteristics of the device,a novel p-Si/i-Al2O3/n-Al-doped-Al2O3 (AZO) structure is proposed.In the experiment,the volt-ampere and photoelectrical detection characteristics are investigated.Compared with the conventional pn device,the rectification ratio of 152 under the dark conditions is achieved.By controlling the deposited thickness of i-layer,the tunneling effect is effectively suppressed.The sensitivity of detection is greatly improved.The device presents better characteristics comparing to the traditional device.
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