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期刊信息
  • 主管单位:
  • 中国科学技术协会
  • 主办单位:
  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
  • 主  编:
  • 庄松林
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号上海理工大学《光学仪器》编辑部
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55270110
  • 电子邮件:
  • gxyq@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1005-5630
  • 国内统一刊号:
  • 31-1504/TH
  • 邮发代号:
  • 单  价:
  • 15.00
  • 定  价:
  • 90.00
Lu2SiO5晶体电子结构的模拟研究
Study on electronic properties of Lu2SiO5 crystals
投稿时间:2014-08-06  
DOI:10.3969/j.issn.1005-5630.2015.02.010
中文关键词:  第一性原理  电子结构  点缺陷
英文关键词:first principle  electronic structures  point defects
基金项目:
作者单位E-mail
夏贯芳 上海理工大学 理学院, 上海 200093  
刘廷禹 上海理工大学 理学院, 上海 200093 liutyyxj@163.com 
严非男 上海理工大学 理学院, 上海 200093  
陈俊 上海理工大学 理学院, 上海 200093  
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中文摘要:
      基于密度泛函理论,GGA-PBE交换相关势研究了含氧空位和氧填隙的Lu2SiO5(LSO)晶体的电子结构.详细讨论电子态密度,分析了含氧空位的LGO晶体的电子态密度,结果显示,在禁带中出现了一个新的态密度分布,VO5能产生一个吸收带,该吸收带位于400~500 nm之间.
英文摘要:
      Electronic properties of Lu2SiO5 crystals with oxygen vacancy and oxygen interstitial were investigated using the density functional theory with the generalized gradient approximation with Perdew-Burke-Ernzerhof(GGA-PBE). The electronic density of states is described in detail. The electronic density of states with oxygen vacancy is analyzed. The results show that oxygen vacancy can induce extra states in the band gap. VO5 can bring a new absorption band which is fit well with the 400~500 nm absorption band.
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