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期刊信息
  • 主管单位:
  • 中国科学技术协会
  • 主办单位:
  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
  • 主  编:
  • 庄松林
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号上海理工大学《光学仪器》编辑部
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55270110
  • 电子邮件:
  • gxyq@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1005-5630
  • 国内统一刊号:
  • 31-1504/TH
  • 邮发代号:
  • 单  价:
  • 15.00
  • 定  价:
  • 90.00
PECVD制备光学氮化硅薄膜均匀性分析研究
Study on uniformity of silicon nitride optical film by PECVD
投稿时间:2014-02-10  
DOI:10.3969/j.issn.1005-5630.2014.04.019
中文关键词:  PECVD  光学薄膜  均匀性
英文关键词:PECVD  optical thin film  uniformity
基金项目:
作者单位E-mail
刘昊轩 西安工业大学 陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室, 陕西 西安 710032  
杭凌侠 西安工业大学 陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室, 陕西 西安 710032 hanglingxia@163.com 
薛俊 西安工业大学 陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室, 陕西 西安 710032  
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中文摘要:
      采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的光学薄膜,其均匀性受到多种工艺参数的影响,在这些参数中,一类是沉积过程的工艺参数;另一类则是设备结构参数,设备结构参数决定着反应腔室内气流分布、以及电场分布等.通过改变沉积过程的工艺参数和一组正交试验,分析各个工艺参数对均匀性的影响,从而改善氮化硅薄膜均匀性.
英文摘要:
      The uniformity of an optical film prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is affected by many processing parameters, including equipment structure parameters which affect air flow distribution and electronic-field distribution of reaction chamber. This paper studies the influence of different deposition processing parameters over the film uniformity so as to optimize the uniformity of nitride silicon films.
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