用户登录
期刊信息
  • 主管单位:
  • 中国科学技术协会
  • 主办单位:
  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
  • 主  编:
  • 庄松林
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号上海理工大学《光学仪器》编辑部
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55270110
  • 电子邮件:
  • gxyq@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1005-5630
  • 国内统一刊号:
  • 31-1504/TH
  • 邮发代号:
  • 单  价:
  • 15.00
  • 定  价:
  • 90.00
基于InP高Q值微碟谐振腔原理分析及应用
Analysis theory of a high Q microdisk based on material of InP and its application
  
DOI:
中文关键词:  微碟谐振腔  高Q值  负耦合  消光比
英文关键词:
基金项目:国家自然科学基金资助项目 ?
蒋烽  周剑英  杨建义  江晓清  王明华
摘要点击次数: 2148
全文下载次数: 12
中文摘要:
      对微谐振腔Q值相关机理进行模型分析,提出利用定向耦合原理对微谐振腔和总线波导之间的耦合分析.利用微碟谐振腔的高Q值理论对基于InP半导体材料的光开关设计并进行性能分析,设计的微碟光开关自由频谱范围(FSR)为3.4nm,光开关消光比可达20dB左右.此外负耦合(negative gap)结构使微碟与总线波导耦合的效率明显提高.
英文摘要:
      
HTML   查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
关闭