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| 基于InP高Q值微碟谐振腔原理分析及应用 |
| Analysis theory of a high Q microdisk based on material of InP and its application |
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| DOI: |
| 中文关键词: 微碟谐振腔 高Q值 负耦合 消光比 |
| 英文关键词: |
| 基金项目:国家自然科学基金资助项目
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| 蒋烽 周剑英 杨建义 江晓清 王明华 |
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| 中文摘要: |
| 对微谐振腔Q值相关机理进行模型分析,提出利用定向耦合原理对微谐振腔和总线波导之间的耦合分析.利用微碟谐振腔的高Q值理论对基于InP半导体材料的光开关设计并进行性能分析,设计的微碟光开关自由频谱范围(FSR)为3.4nm,光开关消光比可达20dB左右.此外负耦合(negative gap)结构使微碟与总线波导耦合的效率明显提高. |
| 英文摘要: |
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