|
| 厚胶光刻蚀刻中的图形展宽分析与改善研究 |
| The analysis of figure''''s widen and study of its minished in photolithography and etching for thick photoresist |
| 修订日期:2007-01-08 |
| DOI: |
| 中文关键词: 光刻 芽孢 反应离子束刻蚀 温度效应 二次效应 |
| 英文关键词: |
| 基金项目: |
| 冀翔 杨国光 侯西云 刘晓旻 陈滟 田丰 |
冀翔(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027) ;杨国光(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027) ;侯西云(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027) ;刘晓旻(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027) ;陈滟(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027) ;田丰(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027)
|
| 摘要点击次数: 2349 |
| 全文下载次数: 18 |
| 中文摘要: |
| 为了刻蚀出低损耗波导沟道,对光刻和反应离子束蚀刻(RIE)中影响展宽的工艺条件进行理论分析和实验实践,提出采用多次旋涂、消除芽孢、低温后烘和刻蚀、光学稳定等措施减小展宽,并对不能完全消除的展宽分析给出原因.实验结果表明展宽得到有效的改善. |
| 英文摘要: |
| |
| HTML 查看全文 查看/发表评论 下载PDF阅读器 |
| 关闭 |
|
|
|