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期刊信息
  • 主管单位:
  • 中国科学技术协会
  • 主办单位:
  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
  • 主  编:
  • 庄松林
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号上海理工大学《光学仪器》编辑部
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55270110
  • 电子邮件:
  • gxyq@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1005-5630
  • 国内统一刊号:
  • 31-1504/TH
  • 邮发代号:
  • 单  价:
  • 15.00
  • 定  价:
  • 90.00
厚胶光刻蚀刻中的图形展宽分析与改善研究
The analysis of figure''''s widen and study of its minished in photolithography and etching for thick photoresist
  修订日期:2007-01-08
DOI:
中文关键词:  光刻  芽孢  反应离子束刻蚀  温度效应  二次效应
英文关键词:
基金项目:
冀翔  杨国光  侯西云  刘晓旻  陈滟  田丰
冀翔(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027)
;杨国光(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027)
;侯西云(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027)
;刘晓旻(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027)
;陈滟(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027)
;田丰(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027)
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中文摘要:
      为了刻蚀出低损耗波导沟道,对光刻和反应离子束蚀刻(RIE)中影响展宽的工艺条件进行理论分析和实验实践,提出采用多次旋涂、消除芽孢、低温后烘和刻蚀、光学稳定等措施减小展宽,并对不能完全消除的展宽分析给出原因.实验结果表明展宽得到有效的改善.
英文摘要:
      
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