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| 氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响 |
| Effect of O2 to Ar ratio on structure of crystallization and function of conducting electricity of ZnO thin film |
| 修订日期:2006-04-08 |
| DOI: |
| 中文关键词: ZnO薄膜 晶体结构 导电性能 氧氩比 |
| 英文关键词:ZnO films,crystallization structure,function of conducting electricity,O2 to Ar ratio |
| 基金项目:山东省教育厅资助项目 |
| 潘志峰 袁一方 李清山 孔繁之 张利宁 |
| 上海理工大学光电学院,上海理工大学光电学院,曲阜师范大学物理工程学院,济宁医学院物理教研室,济宁医学院物理教研室 上海200093,济宁医学院物理教研室,山东济宁272013,上海200093,山东曲阜273165,山东济宁272013,山东济宁272013 |
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| 中文摘要: |
| 探讨氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响.利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动.随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小. |
| 英文摘要: |
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