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期刊信息
  • 主管单位:
  • 中国科学技术协会
  • 主办单位:
  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
  • 主  编:
  • 庄松林
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号上海理工大学《光学仪器》编辑部
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55270110
  • 电子邮件:
  • gxyq@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1005-5630
  • 国内统一刊号:
  • 31-1504/TH
  • 邮发代号:
  • 单  价:
  • 15.00
  • 定  价:
  • 90.00
氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响
Effect of O2 to Ar ratio on structure of crystallization and function of conducting electricity of ZnO thin film
  修订日期:2006-04-08
DOI:
中文关键词:  ZnO薄膜  晶体结构  导电性能  氧氩比
英文关键词:ZnO films,crystallization structure,function of conducting electricity,O2 to Ar ratio
基金项目:山东省教育厅资助项目
潘志峰  袁一方  李清山  孔繁之  张利宁
上海理工大学光电学院,上海理工大学光电学院,曲阜师范大学物理工程学院,济宁医学院物理教研室,济宁医学院物理教研室 上海200093,济宁医学院物理教研室,山东济宁272013,上海200093,山东曲阜273165,山东济宁272013,山东济宁272013
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中文摘要:
      探讨氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响.利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动.随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小.
英文摘要:
      
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