|
| 采用End-Hall源沉积类金刚石膜 |
| Experiments on depositing diamond-like-carbon by using source End-Hall |
| 修订日期:2005-11-20 |
| DOI: |
| 中文关键词: 类金刚石膜 射频等离子放电沉积 End-Hall源 边缘效应 |
| 英文关键词:DLC,RFCVD,source End-Hall,brim effect |
| 基金项目:教育部重点实验室基金 |
| 洪伟 赵友博 张铁群 |
航天科工集团三院8358所 天津300092(洪伟) ,南开大学现代光学研究所光电信息技术科学教育部重点实验室 天津300071(赵友博,张铁群)
|
| 摘要点击次数: 2072 |
| 全文下载次数: 22 |
| 中文摘要: |
| 介绍了两种普遍采用的类金刚石(DLC)膜沉积方法.在此基础上叙述了采用End-Hall源沉积DLC膜的方法,在简单说明其工作原理的同时给出了实验的各项技术参数;通过对实验结果和DLC膜样品的分析,可看出用End-Hall源沉积方式能够消除RFCVD沉积方式所带来的边缘效应. |
| 英文摘要: |
| Two commonly adoptived depositing methods of diamond-like-carbon(DLC) are introduced and analyzed.The principles and experimental parameters of the source End-Hall DLC are presented.Experimental results and analyses on the deposited DLC coating samples are demonstrated.The brim effects introduced by RFCVD can be removed by source End-Hall deposition method. |
| HTML 查看全文 查看/发表评论 下载PDF阅读器 |
| 关闭 |