|
| 低压反应离子镀制备Ge1-xCx薄膜的硬度研究 |
| Study hardness of Ge1-xCx coatings prepared by RLVIP Technique |
| 修订日期:2006-06-30 |
| DOI: |
| 中文关键词: Ge1-xCx 硬度 低压反应离子镀(RLVIP) |
| 英文关键词:Ge_(1-x)C_x,hardness,reactive low voltage ion plating(RLVIP) |
| 基金项目:国家自然科学基金 |
| 王彤彤 高劲松 王笑夷 宋琦 陈红 郑宣明 申振峰 单兆会 凌伟 |
王彤彤(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心,吉林,长春,130033) ;高劲松(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心,吉林,长春,130033) ;王笑夷(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心,吉林,长春,130033) ;宋琦(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心,吉林,长春,130033) ;陈红(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心,吉林,长春,130033) ;郑宣明(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心,吉林,长春,130033) ;申振峰(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心,吉林,长春,130033) ;单兆会(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心,吉林,长春,130033) ;凌伟(海军驻长春地区航空军代表室,吉林,长春,130033)
|
| 摘要点击次数: 2134 |
| 全文下载次数: 13 |
| 中文摘要: |
| 应用低压反应离子镀的薄膜制备方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜,随着沉积速度在0.1nm/s~0.9nm/s之间变化,Ge1-xCx薄膜的硬度在2.12 GPa~11.066 GPa之间可变,当沉积速率为0.9nm/s时,Ge1-xCx薄膜最大硬度为11.066 GPa.XRD测试结果表明,沉积的Ge1-xCx薄膜均为无定形结构.对薄膜稳定性和牢固度的测试表明,制备的Ge1-xCx薄膜在具有较高的硬度的同时,也有良好的性能. |
| 英文摘要: |
| |
| HTML 查看全文 查看/发表评论 下载PDF阅读器 |
| 关闭 |
|
|
|