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期刊信息
  • 主管单位:
  • 中国科学技术协会
  • 主办单位:
  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
  • 主  编:
  • 庄松林
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号上海理工大学《光学仪器》编辑部
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55270110
  • 电子邮件:
  • gxyq@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1005-5630
  • 国内统一刊号:
  • 31-1504/TH
  • 邮发代号:
  • 单  价:
  • 15.00
  • 定  价:
  • 90.00
HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究
Study of plasma treatment on multi-layer film for HgCdTe photovoltaic detector
  修订日期:2006-06-30
DOI:
中文关键词:  O 2清洗  Ar 刻蚀  钝化  HgCdTe光伏探测器
英文关键词:O~+_2 cleaning,Ar~+ etching,passivation,HgCdTe photovoltaic detector,
基金项目:
储开慧  乔辉  汤英文  陈江峰  胡亚春  贾嘉  李向阳  龚海梅
中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200083
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中文摘要:
      在HgCdTe光伏探测器件SiO2 ZnS复合介质膜钝化中,引入O 2清洗和Ar 刻蚀两种等离子体处理工艺,大大提高薄膜附着力,成功制备出优良的光伏器件.对处理前后的样品进行场发射扫描电子显微镜扫描、原子力显微镜扫描和二次离子质谱测试后发现,O 2清洗对去除样品表面的残余光刻胶效果显著;而Ar 刻蚀使ZnS表面更为粗糙,增加了成核中心,使SiO2和ZnS表面互相渗透,增强了两层介质膜的附着力.
英文摘要:
      SiO_2+ZnS multi-layer film is often used for HgCdTe photovoltaic detector.But this kind of passivation is likely to have adhesion problem.By the introduction of O~+_2 cleaning and Ar~+ etching into the preparation,the adhesion problem can be solved.It is clearly showed that most of residual photoresist can be removed after O~+_2 cleaning.It is also indicated that Ar~+ etching process is helpful for ZnS surface coarsening and nucleation to form the mixing interface between SiO_2 and ZnS films and thus improve the adhesion of these two dielectric films.
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