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期刊信息
  • 主管单位:
  • 中国科学技术协会
  • 主办单位:
  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
  • 主  编:
  • 庄松林
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号上海理工大学《光学仪器》编辑部
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55270110
  • 电子邮件:
  • gxyq@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1005-5630
  • 国内统一刊号:
  • 31-1504/TH
  • 邮发代号:
  • 单  价:
  • 15.00
  • 定  价:
  • 90.00
基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率分析
Analysis of photon-induced refractive index change based on GaAs/AlGaAs quantum wells materials
  修订日期:2005-07-30
DOI:
中文关键词:  集成光学,全光开关,光致折射率,量子阱材料
英文关键词:integrated optics,all optical switches,photon-induced refractive index,quantum wells materials
基金项目:国家自然科学基金资助项目(60477018),国家自然科学基金重点资助项目(60436020)
李龙志  杨建义  王明华  江晓清
浙江大学信息与电子工程系 浙江杭州310027 (李龙志,杨建义,王明华)
,浙江大学信息与电子工程系 浙江杭州310027(江晓清)
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中文摘要:
      初步分析了基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率变化规律,利用自洽方法计算了光生载流子浓度对传输光的折射率改变量。当805nm的控制光注入强度为6×103W/cm2(8×103W/cm2)时,在垂直材料表面内1μm深度处,对1.55μm(1.31μm)的传输光可以达到-1-0 2的折射率变化量级。与GaAs体材料相比,量子阱材料所需控制光强度能够减少约20%,有助于降低全光开关与全光调制器的功耗。
英文摘要:
      
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