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| 基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率分析 |
| Analysis of photon-induced refractive index change based on GaAs/AlGaAs quantum wells materials |
| 修订日期:2005-07-30 |
| DOI: |
| 中文关键词: 集成光学,全光开关,光致折射率,量子阱材料 |
| 英文关键词:integrated optics,all optical switches,photon-induced refractive index,quantum wells materials |
| 基金项目:国家自然科学基金资助项目(60477018),国家自然科学基金重点资助项目(60436020) |
| 李龙志 杨建义 王明华 江晓清 |
浙江大学信息与电子工程系 浙江杭州310027
(李龙志,杨建义,王明华) ,浙江大学信息与电子工程系 浙江杭州310027(江晓清)
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| 中文摘要: |
| 初步分析了基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率变化规律,利用自洽方法计算了光生载流子浓度对传输光的折射率改变量。当805nm的控制光注入强度为6×103W/cm2(8×103W/cm2)时,在垂直材料表面内1μm深度处,对1.55μm(1.31μm)的传输光可以达到-1-0 2的折射率变化量级。与GaAs体材料相比,量子阱材料所需控制光强度能够减少约20%,有助于降低全光开关与全光调制器的功耗。 |
| 英文摘要: |
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