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期刊信息
  • 主管单位:
  • 中国科学技术协会
  • 主办单位:
  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
  • 主  编:
  • 庄松林
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号上海理工大学《光学仪器》编辑部
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55270110
  • 电子邮件:
  • gxyq@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1005-5630
  • 国内统一刊号:
  • 31-1504/TH
  • 邮发代号:
  • 单  价:
  • 15.00
  • 定  价:
  • 90.00
MPCVD法加偏压下金刚石膜的成核行为
Nucleation behavior of diamond films under bias field by MPCVD
  修订日期:2004-11-28
DOI:
中文关键词:  金刚石膜,成核,MPCVD,侧向力显微(LFM
英文关键词:diamond film,nucleation,MPCVD,lateral force microscopy(LFM)
基金项目:
刘传先  武文远
上海第二工业大学应用物理系 上海201209 (刘传先)
,解放军理工大学理学院 江苏南京210007(武文远)
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中文摘要:
      用微波等离子体化学气相沉积法(M PCVD),探讨了在S i(100)衬底上加偏压电场情况下金刚石膜的成核行为。侧向力显微(LFM)表明偏压电场对金刚石成核有促进作用,并分析了偏压电场促进金刚石成核的机制。
英文摘要:
      In this paper, the nucleation behaviour of diamond films on Si(100) substrates is investigated with bias field by MPCVD. By the analysis of LFM, bias field can contribute to the diamond mucleation. The mechanism of contribution of bias field to the diamond nucleation has also been analysed.
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