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期刊信息
  • 主管单位:
  • 中国科学技术协会
  • 主办单位:
  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
  • 主  编:
  • 庄松林
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号上海理工大学《光学仪器》编辑部
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55270110
  • 电子邮件:
  • gxyq@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1005-5630
  • 国内统一刊号:
  • 31-1504/TH
  • 邮发代号:
  • 单  价:
  • 15.00
  • 定  价:
  • 90.00
SBN60铁电薄膜横向电光系数及M—Z波导半波电压的研究
Measurement of electro-optic coefficients in SBN60 and their applications in M-Z type waveguide modulators
  修订日期:2003-11-30
DOI:
中文关键词:  横向电光系数,M-Z薄膜波导调制器,半波调制电压
英文关键词:transverse electro-optic coefficient,M-Z type modulator,half-wave modulation voltage
基金项目:浙江省自然科学基金资助项目(500077)。
沈智如  叶辉  沈伟东  曹晓燕  郭冰  邹桐
浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江大学现代光学仪器国家重点实验室 浙江杭州310027,浙江杭州310027,浙江杭州310027,浙江杭州310027,浙江杭州310027,浙江杭州310027
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中文摘要:
      主要介绍MgO衬底上掺K和不掺K的SBN60铁电薄膜的横向电光系数r51的测量,并由此设计一种MgO衬底上M-Z型薄膜波导调制器,并计算出此种波导调制器的半波调制电压,实验说明掺入K离子能减少其半波调制电压。
英文摘要:
      High-quality z-axis oriented SBN60 thin films on MgO(001) substrates have been grown by sol-gel process, The transverse electro-optic coefficients r_(51) of the SBN60 and potassium ion doped SBN60 thin films were measured respectively. M-Z type waveguide modulators made of SBN60 thin films were designed. The half-wave modulation voltage was demonstrated to be decreased with the K ion doping.
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