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期刊信息
  • 主管单位:
  • 中国科学技术协会
  • 主办单位:
  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
  • 主  编:
  • 庄松林
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号上海理工大学《光学仪器》编辑部
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55270110
  • 电子邮件:
  • gxyq@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1005-5630
  • 国内统一刊号:
  • 31-1504/TH
  • 邮发代号:
  • 单  价:
  • 15.00
  • 定  价:
  • 90.00
立方氮化硼薄膜的制备及其光学应用展望
Preparation of cubic boron nitride films and outlook of its optical application
  修订日期:2003-11-30
DOI:
中文关键词:  立方氮化硼,傅里叶变换红外光谱,俄歇电子能谱,光学应用
英文关键词:cubic boron nitride,FTIR,AES,optical application
基金项目:
乐永康
复旦大学物理系 上海200433
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中文摘要:
      现用自偏压辅助的射频磁控溅射在硅基片上生长氮化硼薄膜,用傅里叶变换红外光谱和俄歇电子能谱测定薄膜中立方结构的含量以及氮硼的组分比。分别研究了工作气体中氮气的含量、基片的温度和基片的偏压对立方结构生长的影响。实验结果显示:薄膜组分是否达到氮硼比为1的化学配比条件是立方结构能否生长的关键;通过选择工作气体中合适的氮气含量,立方结构的生长在室温下也能实现;然而室温条件下适合立方氮化硼生长的基片偏压范围要比在500℃时窄很多。另外还对立方氮化硼薄膜的光学应用作了展望。
英文摘要:
      
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