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期刊信息
  • 主管单位:
  • 中国科学技术协会
  • 主办单位:
  • 中国仪器仪表学会、上海光学仪器研究所、中国光学学会工程光学专业委员会
  • 主  编:
  • 庄松林
  • 地  址:
  • 上海市军工路516号上海理工大学《光学仪器》编辑部
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • 021-55270110
  • 电子邮件:
  • gxyq@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 1005-5630
  • 国内统一刊号:
  • 31-1504/TH
  • 邮发代号:
  • 单  价:
  • 15.00
  • 定  价:
  • 90.00
超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
Design and fabrication of AR film for super-luminescent diode facets
  修订日期:2003-11-30
DOI:
中文关键词:  宽带增透膜,超辐射发光管,极低剩余反射率,放大自发辐射
英文关键词:wide band AR film,super-luminescent diode,ultra-low reflectivity,amplified spontaneus emission(ASE)
基金项目:国家"863计划"资助项目(2003AA311080)
常进  张军  王定理  刘应军  甘毅  李林松  黄晓东  刘涛  邬江帆
武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司 湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074
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中文摘要:
      在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。
英文摘要:
      Using a triple-layer antireflection coating on facets of InGaAsP semiconductor laser chips,the minimum facet reflectivity <0.03% for the center-wavelength of 1310nm and the super-luminescent diode of ASE ripple<0.5dB are obtained.
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