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| 超辐射发光管端面AR膜的设计与制备 |
| Design and fabrication of AR film for super-luminescent diode facets |
| 修订日期:2003-11-30 |
| DOI: |
| 中文关键词: 宽带增透膜,超辐射发光管,极低剩余反射率,放大自发辐射 |
| 英文关键词:wide band AR film,super-luminescent diode,ultra-low reflectivity,amplified spontaneus emission(ASE) |
| 基金项目:国家"863计划"资助项目(2003AA311080) |
| 常进 张军 王定理 刘应军 甘毅 李林松 黄晓东 刘涛 邬江帆 |
| 武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司 湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074 |
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| 中文摘要: |
| 在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。 |
| 英文摘要: |
| Using a triple-layer antireflection coating on facets of InGaAsP semiconductor laser chips,the minimum facet reflectivity <0.03% for the center-wavelength of 1310nm and the super-luminescent diode of ASE ripple<0.5dB are obtained. |
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