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| 日外延生长BNN晶体薄膜 |
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| 日本东北大学金属材料研究所的科学家,利用电子回旋加速器共振(ECR)等离子体溅射的方法,成功地外延生长出了非线性光学材料BNN(钡钠铌)晶体薄膜。该所的研究人员在生长BNN晶体薄膜时,衬底温度被保持在500℃~750℃。当在晶体的C轴方向生长晶体薄膜时,在500℃下形成的薄膜表面十分光滑。另外,薄膜的矫顽电场与块状单晶的大致相同。约为4.45KV。薄膜对波长长于700nm的光,透射率约为80%;折射指数比外延生长时所用衬底蓝宝石的大一些,约为2.07。日外延生长BNN晶体薄膜 |
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